应用领域：声学换能器，声波探测，声传感器。
技术特点：
具有自主知识产权的新型高性能压电单晶PIMNT生长技术，新材料具有远高于传统压电陶瓷的压电性能，可应用于超高灵敏度声波探测与传感，带来器件性能的极大提升。
性能指标：
晶体尺寸4英寸。压电常数d33大于1500pC/N，d32大于1500pC/N,d15大于3500pC/N.机电耦合系数k33,k32,k15大于88.0%。
当前状态：
在研究所建有晶体制备小试线，有小批量供货能力，具备多项国家发明专利，材料制备技术水平处于国际先进。
图片资料：
项目成熟度：工程化阶段
知识产权形式：专利和技术秘密
